筆記本|英睿達DDR5-4800筆記本內存評測:起步就輕松超越高頻DDR4( 二 )


三、裝機和性能測試:雙通道優勢更明顯 解壓縮辦公速度更高效
測試設備我們使用ROG槍神6 Plus超競版筆記本 , 核心配置為酷睿i9-12950HX+RTX 3070 Ti Laptop 。
我們先來看看這款英睿達DDR5-4800筆記本內存的安裝體驗和基準測試 。
——裝機



英睿達DDR5-4800筆記本內存安裝非常簡單 , 關機斷電狀態下拆開筆記本D面 , 插入內存槽 , 開機就可以直接使用了 。



內存本身帶有防呆口 , 能避免用戶插錯 。



我們先插入單根英睿達DDR5-4800 8GB筆記本內存 , 可以看到系統下能準確識別出預設的4800MHz頻率 , 時序為40-39-39-76 , 電壓為1.1V 。



圖為DIMM內存對比
需要注意的是 , 因為DDR5采用了全新的協議和規范 , 單個DIMM被分解成2個通道 , 也就是原本64bit拆解成兩個32bit , 所以單根內存插入后會被識別成雙通道 , 兩根內存識別成四通道 。
當然 , 要想實現傳統意義上的雙通道 , 依然需要兩根內存 。
——基準測試
1、AIDA64測試
我們使用AIDA64的內存與緩存測試 , 先分別測試單根和兩根內存的基準性能 。



在單通道內存(系統識別為雙通道)下 , 測得讀取、寫入、復制的速度分別為35404MB/s、30064MB/s、31326MB/s , 延遲為94.3ns 。



在兩根內存組成的雙通道(系統識別為4通道) , 測得讀取、寫入、復制的速度分別為65791MB/s、58175MB/s、56833MB/s , 對比單條分別高出86%、94%、81% , 可見這才是真正的雙通道 。
不過延遲也略有增加 , 達到了97.5ns , 好在幅度不大 , 僅僅3% 。
和我們此前測試過的DDR4-3200 SO-DIMM筆記本內存作為對比 , 英睿達DDR5-4800筆記本內存在讀取、寫入、復制這三方面 , 分別高出38.6%、22.9%、28.9% 。
延遲這方面 , 要先考慮到DDR5-4800 SO-DIMM內存主要是用于筆記本上 , 和我們此前搭載了高頻DDR4 SODIMM的筆記本評測成績接近 , 可以說并沒有什么差別 , 日常使用感知并不明顯 。
2、硬件狗狗



單通道內存跑分



雙通道內存跑分
在單通道內存下 , 硬件狗狗的內存性能測試分數為29943;雙通道內存的測試分數為58220 。
相比單通道 , 雙通道內存能夠實現翻倍的性能提升 。
——解壓縮測試
解壓縮測試中除了最直觀的CPU和硬盤占用外 , 內存的作用也不容忽視 。
在解壓縮過程中 , 文件先寫入內存 , 由內存將文件寫入硬盤 , 大內存帶來的優勢也越明顯 。



單通道內存解壓縮基準



雙通道內存解壓縮基準
雙通道除了帶來容量的提升 , 也帶來了更快的讀寫速度 。 在7-zip解壓縮基準中 , 單通道總體得分為74.987 , 雙通道為92.228 GIPS 。
在這方面 , 多通道的內存性能相較單通道 , 約有23%的性能提升 。
——穩定性測試

在此次烤機測試中 , 我們使用RunMemtestPro檢驗英睿達DDR5-4800筆記本內存的穩定性 。
得益于DDR5內存帶寬的升級 , 只需約20分鐘就完成了測試 , 整個過程并未出現報錯 。
五、總結:DDR5時代已經來臨 注意真正雙通道
英睿達DDR5-4800 SO-DIMM筆記本的規格非常標準 , 單根8GB容量起、4800MHz頻率、CL40延遲 , 因此它的定位就是“年輕人的第一臺DDR5筆記本” , 開啟新內存普及之路 。
現在很多筆記本都預裝一條內存 , 預留一個空閑插槽 , 再插上一根是絕對必要的 。 DDR5雖然實現了內部雙通道 , 但聊勝于無 , 想要真正發揮出最大性能還得兩根內存組成物理上的真正雙通道 , 有時可以帶來接近翻倍的性能提升 。

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