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三星|三星有點(diǎn)慌？4nm芯片良率35%，3nm良率僅10%-20%

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三星|三星有點(diǎn)慌？4nm芯片良率35%，3nm良率僅10%-20%

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三星|三星有點(diǎn)慌？4nm芯片良率35%，3nm良率僅10%-20%

眾所周知 ， 當(dāng)前在晶圓代工上 ， 只有三星能夠與TSMC競(jìng)爭(zhēng)一下了 。 但事實(shí)上 ， 從市場(chǎng)份額來(lái)看 ， 兩者相差還非常大的 ， TSMC的份額有55%左右 ， 而三星只有20%左右 。
三星唯一拿得出手競(jìng)爭(zhēng)的 ， 其實(shí)是自己摻了點(diǎn)水份的工藝 ， 似乎與TSMC不相上下 ， 同時(shí)進(jìn)入5nm ， 再進(jìn)入4nm ， 再進(jìn)入3nm ， 甚至在3nm上 ， 三星還要采用GAAFET技術(shù) ， 比TSMC的FinFET技術(shù)更先進(jìn) 。

之前三星已經(jīng)獲得了高通的支持 ， 高通將自己的5nm芯片驍龍888、4nm芯片8Gen1都交給三星代工 。
所以三星信心滿滿 ， 要在3nm時(shí)想辦法追上并超過(guò)TSMC ， 未來(lái)成為晶圓代工的龍頭 ， 打敗TSMC 。
不過(guò)4nm工藝開(kāi)局不利 ， 三星幫高通代的驍龍8Gen1 ， 表現(xiàn)不給力 。 更重要的是外界傳聞三星4nm工藝的良率只有35%左右 。

也就是說(shuō)晶圓制造成芯片 ， 只有三分之一是可用的 ， 另外的三分之二是殘次品 ， 導(dǎo)致三星產(chǎn)能低、效率慢 ， 高通都受不了了 ， 要轉(zhuǎn)單TSMC ， 生產(chǎn)另外一批8Gen1 。
而近日 ， 媒體PhoneArena報(bào)道 ， 不僅4nm良率低 ， 三星在試產(chǎn)的3nm良率更是低到離譜 。
按照PhoneArena的說(shuō)法 ， 三星代工廠早期的3nm良率一直在10%至20%之間 ， 比4nm那35%的良率糟糕多了 。

為何3nm良率這么低 ， 原因是三星在3nm時(shí) ， 采用全環(huán)柵極晶體管架構(gòu)（GAAFET） ， 這是業(yè)界首次采用這種技術(shù) ， 三星也是第一次 。
相比于之前從14nm工藝就使用的FinFET晶體管 ， 三星也是完全沒(méi)經(jīng)驗(yàn) ， 再加上本來(lái)就難度大 ， 所以導(dǎo)致良率低 。
【三星|三星有點(diǎn)慌？4nm芯片良率35%，3nm良率僅10%-20%】三星肯定目前在大力提升良率 ， 要知道10-20%的良率 ， 根本沒(méi)法批量生產(chǎn) ， 會(huì)導(dǎo)致成本大增 ， 同時(shí)產(chǎn)能大降 ， 畢竟10塊芯片中 ， 才1-2顆可用 ， 其它的8、9顆都是壞的 ， 你說(shuō)成本會(huì)高到哪里去？只怕生產(chǎn)出來(lái) ， 價(jià)格貴到消費(fèi)者都用不起啊 。

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