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蘋(píng)果|任正非再出“殺手锏”,華為P60全面國(guó)產(chǎn)化,蘋(píng)果的威脅出現(xiàn)?

蘋(píng)果|任正非再出“殺手锏”,華為P60全面國(guó)產(chǎn)化,蘋(píng)果的威脅出現(xiàn)?

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前一段時(shí)間 , 市場(chǎng)傳出了一個(gè)非常重要的消息 , 華為P60系列手機(jī)在今年將會(huì)正式發(fā)布并且全面實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化 。 受到美國(guó)科技打壓影響 , 全球最大的半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電不能再為海思麒麟芯片代工 , 缺芯可用的華為在手機(jī)市場(chǎng)的銷量銳減 , 市場(chǎng)份額一路下滑 。

“繼鴻蒙系統(tǒng)問(wèn)世成為世界第三大手機(jī)操作系統(tǒng)后 , 任正非再出‘殺手锏’華為P60全面國(guó)產(chǎn)化 , 蘋(píng)果最大威脅出現(xiàn) 。 ”消息一出就在市場(chǎng)和媒體間引起了轟動(dòng) 。 華為作為行業(yè)領(lǐng)頭羊 , 這次真的能夠帶領(lǐng)中國(guó)科技產(chǎn)業(yè)正式突破美國(guó)的科技封鎖了嗎?

一、市場(chǎng)與技術(shù)發(fā)展情況根據(jù)公開(kāi)數(shù)據(jù) , 截至2022年2月 , 在5000元價(jià)格以上的高端檔位市場(chǎng) , 蘋(píng)果無(wú)疑成為了最大的贏家 。 華為受制于打壓 , 缺少核心零部件供應(yīng)的情況下 , 讓出的市場(chǎng)份額并沒(méi)有被小米、OV等國(guó)內(nèi)廠商承接 。 蘋(píng)果在中國(guó)地區(qū)出貨量暴增42.4% , 在找不到競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的情況下瘋狂攫取利潤(rùn) 。

而蘋(píng)果在中國(guó)的高端市場(chǎng)唯一忌憚的廠商就是華為 。 如果全面實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化的華為P60系列手機(jī)發(fā)布 , 則意味著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體加工產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)了大跨步的突破 。
觸底反彈的華為消費(fèi)者業(yè)務(wù)獲得了資金回血 , 用持續(xù)不斷的高額研發(fā)投入和市場(chǎng)攻堅(jiān)能力 , 將給蘋(píng)果帶來(lái)巨大的壓力 。 華為目前只能獲得來(lái)自高通的4G版soc解決方案 。 如果國(guó)內(nèi)解決了5G射頻芯片的去美化生產(chǎn) , 那么將給華為提供新的選擇 。

2022年3月3日 , 國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體公司富滿微在相關(guān)互動(dòng)平臺(tái)上公開(kāi)宣布 , 先前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的5G射頻芯片已經(jīng)開(kāi)始批量供貨 。 但富滿并沒(méi)有透露出更為關(guān)鍵的信息 。 富滿微這個(gè)5G射頻芯片究竟是否有完全獨(dú)立自主的技術(shù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)?能不能向華為正常供貨?目前還是一個(gè)未知數(shù) 。
回到最關(guān)鍵的SOC本身 。 3月28日 , 華為輪值董事長(zhǎng)郭平曾發(fā)言表示 , 華為將采用堆疊、面積換性能的方式解決芯片問(wèn)題 。 此話一出 , 被外界解讀為 , 華為旗下的海思芯片將重新起航 , 特別是大眾期待的華為手機(jī)業(yè)務(wù) , 似乎也將重新回歸到主流發(fā)展賽道上來(lái) 。

二、華為的重重難題現(xiàn)在華為面前擺著一個(gè)難題:即使堆疊技術(shù)具備可靠的實(shí)用性 , 可以在忽略溫控等一些次要問(wèn)題的基礎(chǔ)上 , 解決芯片的性能需求 。 但是 , 芯片代工如何才能解決?行業(yè)媒體普遍認(rèn)為會(huì)是中芯國(guó)際 , 因?yàn)橹行緡?guó)際擁有目前僅次于臺(tái)積電和三星電子的芯片代工工藝 , 已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的14nm制程 , 并且7nm制程也已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn) 。

除了中芯國(guó)際之外 , 華為在芯片代工方面還將有新的選擇 , 而這個(gè)新的選擇就是華虹半導(dǎo)體 。 作為國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體代工巨頭之一 , 華虹半導(dǎo)體曾在2020年的座談會(huì)上表示 , 集團(tuán)14nmFinFET工藝全線貫通 , SRAM良率超過(guò)25% 。

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