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安卓|中國半導體傳來好消息！突圍路線基本定調：自建體系，不依賴EUV( 二 )

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再簡單聊一下中期換道路徑 ， 這是未來5-10年中國半導體的發展路徑 ， 簡而言之就是用FD-SOI（全耗盡型絕緣體上硅）技術代替目前主流的FinFET技術 。
FD-SOI和FinFET的路線之爭由來已久 ， FD-SOI于2000年發布 ， 立體型結構的FinFET晶體管技術于1999年發布 。 可別小看這一年的差距 ， 由于FD-SOI誕生時間相對較晚 ， 在技術初期探索階段沒有出現具有市場競爭力的產品 。
而更早發布的FinFET技術憑借先發優勢 ， 率先大規模商業化 ， 英特爾從酷睿i7-3770平臺就開始大規模使用了該技術 ， 隨后臺積電的FinFET產品也大獲成功 ， 而高產能、高質量的FD-SOI襯底制備技術在當時仍不成熟因此錯過了占領市場的黃金窗口 。

但其實成熟的FD-SOI技術在某些方面比FinFET技術更具優勢 。 比如 ， FinFET技術由于采用三維結構 ， 工藝復雜 ， 成本極高；并且7納米開始就必須引入EUV光刻機 ， 導致芯片設計和芯片制造成本大幅增加 。
IBS的CEO Handel Jones對半導體工藝成本有非常深入的研究 ， 他曾經指出 ， 在相同的條件下 ， 12nm FD-SOI的工藝要比7nm FinFET工藝在成本上低27% 。
此外 ， 在設計成本上 ， 12nm FD-SOI工藝的設計成本大概在5000萬美元到5500萬美元 ， 而16nm FinFET的設計成本就已經達到了7200萬美元 。

對于中國來說 ， FD-SOI工藝最重要的優勢是門檻低 ， 更容易進入中國 。 FinFET技術目前已經通過并購等方式集中在少數幾家國際晶圓廠巨頭手中 ， 在當下的國際形勢下 ， 先進的FinFET技術已經很難進入國內 。 然而FD-SOI全球產業生態圈目前還不太完善 ， 讓我們看到了突破的希望 。
葉甜春總師強調 ， 國產平面工藝設備自主率高達70% ， 有能力支撐FD-SOI技術開發 ， 預計10年內對EUV光刻機沒有依賴 。
最后再講一講中國半導體遠期換道路徑 ， 這個主要是針對未來10-15年的發展路線 ， 主要的關鍵詞是垂直器件三維電路 。 垂直型IC架構是未來半導體工藝的發展方向 ， 但是對芯片設計公司、EDA軟件以及其他芯片制造環節都提出了巨大的挑戰 。

垂直IC架構的目的是向上堆疊立體集成 ， 盡量提高集成度 ， 它要求芯片設計工程師將更多的晶體管裝入固定空間 。 標準單元體積塞入更多晶體管 ， 這意味著芯片的性能將會更高 ， 功耗也會更低 ， 應用潛力非常巨大 。
總而言之 ， 這三條中國半導體換道路徑給行業發展指明了方向 ， 也給我們樹立了極大的信心 。 既然要制裁我們 ， 那么就換條路線 ， 肯定能突圍！

葉甜春總師也表示 ， 過去12年 ， 中國集成電路建立了完整的芯片工業體系 ， 研發、設計、制造、終端、晶圓等方面均有布局 ， 并且保持了高速增長 ， 這是我們保持信心的基礎 。
【安卓|中國半導體傳來好消息！突圍路線基本定調：自建體系，不依賴EUV】我也相信 ， 在產學研界不斷努力下 ， 在國家政策的大力支持下 ， 中國一定能夠建立起自己的半導體體系 ， 一定能排除萬難 ， 突破封鎖！

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