安卓|中國半導體傳來好消息!突圍路線基本定調:自建體系,不依賴EUV

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華為被制裁后 , 國人意識到 , 原來我們在半導體制造技術方面如此落后 , 一些人甚至產生了極度悲觀的情緒:集全西方之力打造的EUV光刻機 , 僅憑中國怎么可能造出來?
有這樣的悲觀情緒在所難免 , 因為EUV光刻機是集合數十個西方國家的技術優勢 , 由數萬個精密零部件打造的人類工業皇冠上的明珠 。

中國獨自研發EUV光刻機確實存在很多困難 , 但中國人民骨子里從不畏懼困難 。 愚公移山、大禹治水這些故事深深烙印在中國人的腦海里 , 中國傳統文化內核告訴我們的道理是人定勝天!沒什么坎是過不去的 , 沒有什么山是搬不走的 。
這不 , 在近日召開的中國集成電路設計創新大會暨一個應用博覽會(ICDIA2022)上 , 國家02專項總師葉甜春給國內產業人士和關注中國半導體產業發展的老百姓打上了一劑強心針 。

葉甜春總師為中國半導體發展提出三個換道路徑 , 分別是近期換道路徑、中期換道路徑和遠期換道路徑 。
近期換道路徑是未來3-5年中國半導體發展路徑規劃 , 這個路徑可以稱為“非EUV路徑” , 即不依賴EUV光刻機也能造出高端芯片 。 大致的原理是在14-7納米工藝平臺引進3納米采用的納米環柵(GAA)結構提高性能 , 用系統封裝/Chiplet提高功能集成度 。
簡而言之 , 該路徑的主要方向就是大力發展高性能晶體管技術和先進封裝技術以彌補EUV光刻機的缺失 。

GAA晶體管技術一般用于5nm以上的先進工藝 , 技術上要領先臺積電目前正在使用的FinFET技術 。 目前已經確定三星3nm將會采用GAA技術 , 屆時三星有望在3nm工藝節點上超越臺積電 。
根據官方介紹 , 與7nm芯片相比 , 基于GAA技術的3nm工藝打造的芯片邏輯面積將減少45% , 功耗降低50% , 性能提高約35% , 并且可在極低電壓環境下穩定運行 。
我們再來了解一下Chiplet , 它是一種功能電路塊 , 包括可重復使用的IP塊 , 通常也被稱作“小芯片”或“芯?!?。 該技術的優勢是設計彈性大、成本低、上市快 , 是后摩爾時代半導體產業的最優解之一 。
簡單來講 , Chiplet封裝模式就是將一個功能豐富且面積較大的芯片裸片拆分成多個芯粒(chiplet) , 這些預先生產好的、能實現特定功能的芯粒組合在一起 , 通過先進封裝的形式(比如3D封裝)被集成封裝在一起即可組成一個系統芯片 。

不久前剛從中芯國際離職的半導體大牛蔣尚義就曾力推發展先進封裝和Chiplet , 但同樣是從臺積電出身的梁孟松卻堅持在先進制程工藝路線上繼續突破 。
不過隨著EUV光刻機進入中國大陸的希望越來越渺茫 , 中國半導體短期的發展路線不得不以發展先進封裝和Chiplet為主 。 至少在未來3-5年 , 葉甜春總師向我們確立了一條可行的、正確的、以發展Chiplet為主的非EUV路徑 。
只要在未來3-5年 , 通過非EUV路徑 , 中國能夠制造出5nm性能水平的芯片 , 那么我們就可以自主滿足95%以上的市場需求 , 高端芯片自主程度會大大提高 , 屆時華為當前面臨的供應鏈危機也會大大緩解 。

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