英特爾|新機:傳蘋果新機支持體溫檢測;小米12 Ultra設計曝光

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三星 Z Flip 4 電池容量增加
據報道 , 三星將在今年下半年發布縱向折疊屏旗艦 Galaxy Z Flip4 。



Galaxy Z Flip4 型號為 SM-F721 , 機身內部配備兩塊電池 , 型號分別是EB-BF721ABY和EB-BF722ABY , 一塊容量為2400mAh , 一塊為903mAh , 電池容量典型值 3400mAh , 比上一代 Galaxy Z Flip3 多了 100mAh 。 三星 Galaxy Z Flip4 將搭載高通驍龍 8 Plus 處理器 。

外媒提到 , 他們在測試 Galaxy Z Flip3 時就發現 , 電池續航是該機的一大短板 , 甚至在輕度使用下都堅持不了一天時間 , 因此 Galaxy Z Flip4 的續航令人擔憂 。 (來源:快科技)


中興 Axon40 渲染圖曝光 今日 , 中興官方預熱稱 , 中興 Axon 40 系列配備了一顆獨立安全芯片 , 可提供硬件級保護 。 Axon 40 Pro 還配備了一億像素高清主攝 , 而 Axon 40 Ultra 為 3 顆 6400 萬像素鏡頭 。

此外 , 拼多多似乎提前曝光了這款新機的外觀 , Axon 40 Ultra 擁有兩款配色 , 后置豎排三攝 , 屏幕邊框看起來非常窄 。



此前 , 數碼博主 @熊貓很禿然 放出了號稱 Axon 40 屏下版的真機圖 , 從圖中可以看到該機的屏幕效果 , 屏下前攝在斜看的角度下完全看不出來 。 他表示 , 中興 Axon 40 屏下版額頭收的很窄 , 視覺無邊框 , 再加上前攝已完全看不出 , 整個視覺效果拉得很滿 。

中興 Axon 40 系列新品發布會將于 5 月 9 日召開 , 發布新一代屏下攝像頭系列手機 。 (來源:IT之家)


傳三星 3nm 工藝先于臺積電投產
據報道 , 三星在對投資人釋出的最新簡報中透露 , 旗下 3nm 制程將在未來幾周內開始投產 , 進度比臺積電更快 , 力圖彎道超車 , 正式引爆今年臺積電與三星最先進的制程競爭激戰 。



臺積電先前于法說會上指出 , 采用 FinFET 架構的 3nm 依原規劃在下半年量產 , 將是“下個大成長節點” 。

業界人士分析 , 三星雖然宣稱 3nm 邁入量產倒數計時 , 但從晶體管密度、效能等層面分析 , 三星的 3nm 對應臺積電的 4nm , 以及英特爾的 Intel 4 制程相當 。

三星表示 , 相較于目前旗下 7nm FinFET 架構制程 , 新的 3nm 制程所生產的芯片 , 可以在 0.75 伏特以下的低電壓環境工作 , 使整體耗電量降低 50% , 效能提升 30% , 芯片體積減少 45% 。
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關于良率 , 業界傳出 , 目前三星 3nm 良率僅約 10% 出頭 , 但未獲三星證實 。

另外 , 臺積電也已著手進行更先進的 2nm 布局 , 預期 2024 年風險試產 , 目標 2025 年量產 , 看好 2nm 將是業界最領先 , 且是支持客戶成長最適合的技術 。 (來源:IT之家)


小米12 Ultra 最新渲染圖
近日 , 有數碼博主曬出了一組新的小米 12 Ultra 外觀渲染圖 。



據數碼博主 @數碼閑聊站 最新發布的信息顯示 , 與此前曝光的消息基本一致 , 全新的小米 12 Ultra 正面將采用主流的居中開孔全面屏 , 不出意外的話采用微曲面屏設計 , 邊框控制得非常出色 , 有望帶來出眾的視覺沖擊力和手感 。 而其最大的亮點則在于機身背部 , 該機將配備碩大的后置相機模組 , 面積幾乎占據了背部的一半 , 采用多層結構 , 底層為大面積方形底座 , 上方為“奧利奧”造型鏡頭模組 , 內部包含四顆攝像頭 , 其中還有一枚潛望式長焦鏡頭 , 并將與徠卡聯合調教 , 綜合實力值得期待 。

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