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顯卡|三星3nm工藝全面超越臺積電4nm工藝，功耗降低50%，性能提升35%

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顯卡|三星3nm工藝全面超越臺積電4nm工藝，功耗降低50%，性能提升35%

【顯卡|三星3nm工藝全面超越臺積電4nm工藝，功耗降低50%，性能提升35%】三星目前計劃在2030年將成為世界一流的半導體公司 ， 目前3nm工藝是他們最強的武器 ， 在早前傳聞三星3nm工藝良率上不去 ， 但三星打破了這些傳聞 ， 目前首個3nm晶圓已經展出 ， 并且在今年第二季度進行大規模的量產 ， 比臺積電要更早一些 。
三星首次公開3nm工藝制造的12英寸晶圓 ， 不過目前還不知道是哪款芯片型號 。

對于三星已經押注了3nm工藝 ， 三星希望借助3nm節點來超越臺積電 ， 之前高通驍龍8 Gen1就是采用了三星4nm工藝 ， 由于功耗過大 ， 驍龍8 Gen1+已經不再采用三星4nm工藝 ， 而是轉投到了臺積電4nm工藝 ， 所以三星要想超過臺積電 ， 必須保證其3nm工藝在功耗問題上比臺積電更有優勢 。
三星3nm工藝采用GAA技術 ， 這是一種全新的環繞柵晶體管 ， 通過使用納米片設備制造MBCFET ， 取代FinFET晶體管技術 ， 這種技術可以有效增加晶體管的性能 。
三星官方表示 ， 和7nm工藝對比 ， 3nmGAA技術邏輯面積提升45% ， 功耗降低50% ， 在性能方面提升35% ， 從目前技術參數等指標來看是要由于臺積電3nmFinFET工藝的 。
按照三星的計劃 ， 3nm工藝將在今年第二季度進行量產 ， 這樣的進度要比臺積電3nm工藝更為激進一些 。
三星4nm在功耗問題上慘敗臺積電4nm工藝 ， 目前三星已經押注3nm工藝 ， 目前各項技術指標都要全面領先臺積電3nm工藝 ， 也希望三星3nm工藝能夠大幅降低功耗提升性能 ， 大家期待三星3nm工藝嗎？

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