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【光刻機|限制ASML出售DUV光刻機的原因真相大白，因中國芯片工藝取得突破】
早前傳出美國要求ASML不要向中國出售DUV光刻機 ， DUV光刻機本來是成熟的技術 ， 為何美國還要如此做？日前外媒披露的信息或許能解釋這一原因 ， 中國芯片制造工藝已成功突破 。
據外媒引述國外科技領域博客“科技洞察”透露的消息指中芯國際其實早在去年7月就已經量產接近7nm的工藝 ， 估計是利用現有的DUV光刻機實現了這一工藝的量產 ， 如此的技術突破讓美國頗為吃驚 。
目前美國在先進工藝方面已經落后 ， 美國最大的芯片制造企業Intel的先進工藝是10nm ， 當前Intel正在推進7nm工藝 ， 預計最快得在今年下半年量產 ， 如此也就意味著中國大陸在芯片制造工藝方面已領先于美國 。
面對在先進工藝方面的落后 ， 顏面盡失的Intel重新對旗下的先進工藝命名 ， 它認為自己即將量產的7nm工藝在性能參數方面接近于臺積電的4nm工藝 ， 因此將7nm工藝改名為Intel 4工藝 ， 然而即使如此依然難以掩蓋美國在先進工藝方面的窘境 。
由于美國在先進工藝方面的落后 ， 目前美國的芯片企業大多將芯片制造交給了亞洲的三星和臺積電 ， 此前分析機構指出美國芯片大約有七成是由亞洲這兩家芯片代工企業生產的 ， Intel也因自己的先進工藝落后而計劃搶奪臺積電的3nm工藝產能 。
在先進工藝的競賽中 ， 韓國三星和中國臺灣的臺積電無疑居于第一陣營 ， 而且臺積電在先進工藝方面又稍微領先于三星 ， 它們當下都在推進3nm工藝的量產 ， 三星已宣布在今年6月最后一天量產3nm ， 臺積電預計近期量產3nm 。
至于第二陣營的聯電、格芯和中芯國際 ， 聯電和格芯已宣布停止研發7nm及更先進工藝 ， 因為它們已無法承受先進工藝的高額研發投入以及巨額投資 ， 中芯國際則是第二陣營中唯一一家研發7nm及更先進工藝的芯片代工企業 。
不過由于眾所周知的原因 ， 中芯國際一直無法獲得先進的EUV光刻機 ， 但是中芯國際并未因此而停止先進工藝的研發 ， 希望依靠現有的DUV光刻機生產7nm工藝 。 事實上臺積電的第一代7nm工藝就是以DUV光刻機生產的 ， 只不過相比起用EUV光刻機生產7nm工藝 ， DUV光刻機的成本會高許多 。
如今中芯國際成功量產接近7nm工藝 ， 代表著中芯國際已跳出第二陣營 ， 開始向第一陣營進發；Intel則因7nm工藝量產困難而遲遲未量產 ， 這也意味著美國在7nm工藝上已落后于中國 ， 這自然讓美國難受 ， 如此也就難怪它試圖連成熟的DUV光刻機都不希望ASML賣給中國了 。
美國在先進工藝方面的落后 ， 代表著美國在科技領域的停滯 ， 事實上這20年美國已有太多科技落后于全球先進水平了 ， 除了先進工藝之外 ， 美國在移動通信技術、互聯網科技、物聯網等行業都已落后 。
相比之下 ， 作為后起之秀的中國在先進科技方面不斷突破 ， 這源于中國人在技術研發方面的優勢 ， 據悉美國的技術研發工程師有相當大比例都是華裔 ， 凸顯出中國人在技術研發方面的天賦 ， 如此也就不難理解美國千方百計阻止ASML向中國銷售光刻機了 。
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