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excel|這里有一款非常優秀，而且很有上進心的SSD

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企業級SSD在支持PCIe 4.0接口后 ， 順序讀寫性能獲得了充分釋放 。 當然 ， 我們衡量SSD的性能不僅僅只看接口帶寬 ， 隨機訪問、穩定性等方面也需要得到重視 。 Solidigm近期推向市場的D7-P5520和D7-P5620在控制器、閃存介質方面都有所改進 ， 提供了更多容量點供用戶選擇 ， 隨機訪問指標也有了明顯提升 。
去年Solidigm D7-P5510上市時僅提供了3.84TB和7.68TB兩個容量點 ， 而D7-P5520向下增加了1.92TB ， 向上擴展到15.36TB ， 共有4個容量點 。 獲得豐富的還有外形——除了傳統的U.2 ， 還增加了面向未來的E1.L和兩種厚度的E1.S ， 用戶可以更靈活地按需選擇 。

與前代產品D7-P5510相比 ， D7-P5520最大的變化是NAND閃存介質的迭代：采用第二代144層3D NAND ， 通過BBD（Block By Deck）和獨立多平面讀操作（IMPRO）等技術特性提升了隨機讀取性能和服務質量（QoS） 。 介質性能的改進 ， 讓D7-P5520可以用相對較小的容量提供較好的性能 。
內有乾坤
我們收到的D7-P5520樣品的容量為7.68TB ， 采用15mm厚度的U.2外形 。 得益于NAND Flash介質密度的提升 ， 這樣的容量只使用了一塊PCB即能實現 ， 盤體的厚度主要留給碩大的電容（耐壓35V ， 容量1000μF）使用 。
D7-P5520的PCB布局與D7-P5510相似 ， 主控封裝縮小 ， 封裝編號LNQG（P5510為LNBX） ， 說明主控還是經歷了硬件層面的小迭代的——這從產品的一些規格也可以看出來 ， 譬如P5520支持NVMe 1.4 ， 而P5510為NVMe 1.3 。 順便提一下 ， 同期送測的D5-P5530的封裝尺寸與編號與D7-P5510相同 ， 支持NVMe 1.3 。

提到P5530 ， 大家可能會有點兒懵 ， P5530發布的好像比P5520還要早一些 ， 有P5530了 ， 為什么還要測P5520？其實二者的定位是不同的 ， 完整的型號命名應該包括前面的“D7”或“D5” 。 在這里我們順便回顧一下Solidigm固態盤的命名規則：
命名原則
1. Solidigm使用Dx Pxxxx Series（其中“x”為數字）來對產品系列命名 。
2. Solidigm NVMe固態盤以D加數字開頭 ， 代表產品是定位性能還是性價比導向 。 如數字7代表性能導向的NVMeSSD ， D5代表大容量優先 ， 而數字3則代表性價比導向的SATASSD ， 數字1代表入門性能 。
3. Pxxxx中的字母P代表PCIe接口產品；S代表SATA；D為DualPort NVMe 。
字母后第一位數字代表第幾代控制器；
字母后第二位數字代表壽命等級 ， 數字越大 ， 寫入量越大；
字母后第三位數字代表介質的迭代；
字母后第四位數字代表其他特性 ， 如0為普通 ， 1為低功耗 ， 2為性能優化 ， 6為大容量 IU（Indirection Unit ， 如16K或64K） ， 8為PCIe x8 AIC 。
綜上 ， Solidigm D7-P5520的產品定位是性能導向 ， 控制器是第5代架構 ， 設定為標準壽命的主流NVMe固態盤產品 。 而D5-P5530的性能相對D7-P5520要略低一些 ， 介質方面也更換為SK Hynix的NAND Flash顆粒 。 至此 ， Solidigm（含前Intel SSD部門）的第五代架構SSD已經經歷了4個版本的介質 ， 包括2020年中發布的D7-P5500/P5600系列使用的96層3D NAND Flash ， 2021年初出貨的D7-P5510/D5-P5316系列使用的144層3D NAND Flash ， 今年初發布的D7-P5520/P5620系列使用改進的144層3D NAND Flash ， 以及采用SK Hynix NAND Flash的D5-P5530 。 這次評測我們重點關注D7-P5520改良的性能表現 ， 下一次的評測我們會關注換用SK Hynix介質的情況 。

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